Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
InP Bi-CMOS technology capable of wafer-scale device-level heterogeneous integration (HI) of InP HBTs and CMOS has been developed. With this technology, full simultaneous utilization of III-V device speed and CMOS circuit complexity is possible. Simple ICs and test structures have been fabricated, showing no significant CMOS or HBT degradation and high heterogeneous interconnect yield. The heterogeneously...
Differential amplifiers incorporating the advantages of both Si and III-V technologies have been fabricated in a wafer scale, heterogeneously integrated, process using both 250 nm InP DHBTs and 130 nm CMOS. These ICs demonstrated gain- bandwidth product of 40-130 GHz and low frequency gain >45 dB. The use of InP DHBTs supports a 6.9 V differential output swing and a slew rate >4times104 V/mus...
According to Goldschmidt's promise for lattice contraction, mean value approximation for bond strength and the Lindemann's criterion for melting, the bond length, bond strength and the melting temperature of cluster arrays consisting of group III elements and Si are considered. The predicted results correspond to the experimental results and computer simulation results well.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.