Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
W pracy przedstawiamy wyniki analizy punktów krytycznych (E₁) dla warstw GaAs oraz Si zaimplantowanych jonami Xe⁺ dwoma różnymi dawkami. W obliczeniach stosowano metodę pochodnych ułamkowych (FDS) widm funkcji dielektrycznych. Zbadano wpływ uszkodzeń radiacyjnych na własności optyczne tych półprzewodników. Do badań została wykorzystana także metoda RBS/NRA w celu zbadania grubości tlenku oraz warstwy...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.