The Infona portal uses cookies, i.e. strings of text saved by a browser on the user's device. The portal can access those files and use them to remember the user's data, such as their chosen settings (screen view, interface language, etc.), or their login data. By using the Infona portal the user accepts automatic saving and using this information for portal operation purposes. More information on the subject can be found in the Privacy Policy and Terms of Service. By closing this window the user confirms that they have read the information on cookie usage, and they accept the privacy policy and the way cookies are used by the portal. You can change the cookie settings in your browser.
W pracy przedstawiono i przedyskutowano wyniki badań eksperymentalnych dotyczących wpływu obudowy urządzenia elektronicznego na przejściową impedancję termiczną tranzystora mocy MOS umieszczonego w takiej obudowie. Opisano sposób realizacji pomiaru przejściowej impedancji termicznej rozważanych tranzystorów, a także opisano zastosowany układ pomiarowy. Wyznaczono wartości parametrów modelu przejściowej...
W pracy przedstawiono charakterystyki statyczne wysokonapięciowych tranzystorów MOSFET mocy wykonanych z krzemu i z węglika krzemu. Przedyskutowano przebieg tych charakterystyk oraz przeanalizowano wpływ materiału, z którego wykonano tranzystor, na jego właściwości statyczne. Wskazano sytuacje, w których korzystniejsze jest stosowanie elementów wykonanych z węglika krzemu.
In this paper a new direct-current measuring method of thermal resistance of power MOS transistors is proposed. The conception of this method and the way of its realization are presented. The discussion on the influence of selected factors on the accuracy of the elaborated method is included in this paper. The correctness of the method is verified by comparing the results of measurements obtained...
In the paper a new nonlinear compact thermal model of power MOS transistors based on the Cauer network is proposed. The analytical description of the model and the method of the model parameter estimation are presented. The accuracy and usefulness of the model is verified experimentally for the trench MOS transistor MTD20N06V at its various cooling conditions.
Set the date range to filter the displayed results. You can set a starting date, ending date or both. You can enter the dates manually or choose them from the calendar.