Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this letter, a resistive random access memory based on Ni electrode/HfOx, dielectric/n+ Si substrate structure is demonstrated, which can be integrated with Si diode as selector for application in crossbar architecture. The unipolar device shows well-behaved memory performance, such as high ON/OFF resistance ratio (>; 103), good retention characteristics (>; 105 s at 150 °C),...
Based on the retention failure mechanism of high resistance state due to reconstruction of oxygen vacancy filament in the rupture region, a physical model is proposed to quantify the retention failure behavior of oxide-based RRAM devices, supported by experiments. A new data retention evaluation methodology is proposed to predict the failure probability and lifetime of the memory devices.
Bias temperature instability of TiN/HfOx/Pt resistive random access memory (ReRAM) device is investigated in this work for the first time. As temperature increases (up to 100°C in this work), it is observed that: (1) leakage current at high resistance state (HRS) increases, which can be explained by the higher density of traps inside dielectrics (related to trap-assistant tunneling), leading to a...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.