Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Celem pracy było porównanie komercyjnie dostępnych oraz opracowanych nowych folii szklano-ceramicznych pod kątem predyspozycji do zastosowań w elektronice mikrofalowej. Wytworzone technologią LTCC porowate oraz lite kompozyty LTCC bazujące na ceramice Al2O3 lub kordierycie zostały poddane analizie SEM z EDS, która ujawniła ich niejednolitą strukturę wewnętrzną. Przeprowadzono pomiary przenikalności...
Zogniskowana wiązka jonów (Focused Ion Beam - FIB) stanowi uniwersalne narzędzie tworzenia, modyfikacji i badania mikro- i nanostruktur elektronicznych i fotonicznych. umożliwia trawienie wzorów oraz nanoszenie warstw metalicznych i dielektrycznych z bardzo wysoką rozdzielczością przestrzenną. Wiązka jonowa może służyć do unikalnego obrazowania preparatów niemożliwego w skaningowej mikroskopii elektronowej...
Przedstawione są wyniki badań nanocząstek krzemowych wytworzonych w wielowarstwowych strukturach azotku krzemu. Celem badań jest opracowanie nowych materiałów półprzewodnikowych w postaci supersieci kwantowych. Materiały te mogą zostać wykorzystane do ogniw trzeciej generacji np. w ogniwach tandemowych opartych na krzemie.
Przedstawiono wyniki charakteryzacji struktur wielowarstwowych Ni/Si dla kontaktów omowych do węglika krzemu. Struktury po kolejnych etapach wygrzewania badane były metodami mikroskopii elektronowej. W warstwach kontaktowych zaobserwowano charakterystyczne defekty: luki oraz nieciągłości rozciągające się poprzez całą grubość warstwy. Zostało zaproponowane wytłumaczenie mechanizmów prowadzących do...
BCl3plasma for reactive ion etching of GaAs and GaSb structure have been examined as a function process parameters: RF power, BCl3pressure and gas additive (Ar, N2). High rate etching of GaSb from 110 nm/min. to 1600 nm/min. is well controlled by RF power, BCl3pressure and it can be increased up to 2 times by an additional Microwave Downstream (MVDS). Smooth etched surface morphologies were obtained...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.