Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Application of SOI in high-power integrated circuit is limited by the self-heating effect, caused by the poor thermal conductivity of the buried SiO 2 layers. It is important to investigate new buried insulator with good thermal conductivity. We simulated the self-heating effects of AlN and SiO 2 thin films caused by power consumption of SOI devices with the help of ANSYS v6.1. Then...
AlN thin films were prepared through IBED. The microstructure and electronic characteristics of AlN films were studied through XPS and C-V/I-V test. N 2 gas added into IBED system during deposition could enhance N/Al ratio near to stoichiometrical structure and improve dielectric properties of AlN films. Some important dielectric parameters for AlN thin films were obtained.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.