Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Graphene has attracted great interest for application in spintronics due to its intrinsic low spin-orbital and hyperflne interaction. The graphene spin filter, which permits the transport of electrons with certain spin only, has been used to realize electron spin-based logic devices. The spin polarity of a spin filter has strong correlation with the parallel or anti-parallel magnetic alignment of...
A comparative analytical approach for performance evaluation of direct tunneling gate leakage current of ultrathin silicon MOS device has been introduced. Direct tunnel characteristics in NMOSFET with different gate dielectric material (fifth, SiCh and AI2O3) at nanoscale regime has been analyzed. The variations of direct tunneling current with gate length, gate width, oxide thickness and various...
Neural network computing philosophy is proposed to model the major features of human brain and to apply neurons functionality to build Computers capable of simulating features of the brain. Memristor is a new device that stores data as memory element and perform logic operations as a computational element with low surface area and power consumption features. These characteristics of memristors have...
Simple and accurate models for Gate leakage current (Ig) in nanoscale Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) are proposed in this paper. The accurate modeling for Oxide Electric field (Eox) and Oxide voltage (Vox) due to Short Channel Effect (SCE) between the gate and inverted channel is the key for higher accuracy. The Oxide Potential drop due to the charges image at the interface...
In this work, we propose an explicit analytical equation to show the variation of top gate threshold voltage with respect to the JFET bottom gate voltage for a Flexible Threshold Voltage Field Effect Transistor (Flexible-FET) by solving 2-D Poisson's equation with appropriate boundary conditions, incorporating Young's parabolic approximation. The proposed model illustrates excellent match with the...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.