Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A GaN-based heterostructure barrier diode (HBD) similar to GaAs planar-doped barrier diodes is demonstrated. Instead of doping with impurities, the polarization-induced sheet charge at the III-nitride heterojunction behaves as an effective $\delta$ -doping. An AlGaN/GaN heterostructure is used for the demonstration. The rectifying characteristics of the polarization-induced GaN HBDs can be tuned...
We explore the potential of graphene symmetric tunneling field effect transistors (SymFETs) for THz applications. The interplay between the negative differential conductance in these devices and electron plasma waves occurring in the graphene layers might lead to very sensitive THz detection (R > 100 kV/W) or amplifiers with power gains ∼ 7 dB at RT.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.