Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
An aggressive junction design concept is proposed for further scaling of bulk planar CMOS featuring selectively epi-grown raised source/drain extensions (RSDext) in conjunction with high temperature millisecond annealing (MSA) process and carbon co-implantation. The junction design window enlarged by introducing the RSDext enables us to elaborately control slight "intentional" diffusion...
We demonstrated 26 nm gate length CMOSFETs with an aggressively reduced silicide position down to 5 nm from the gate edge realized about one decade of order junction leakage reduction, and 10% Ion improvement for both N and PFET. Carbon cluster co-implanted raised source/drain extension (SDE) structure, that enables to enhance SDE boron concentration at the silicide interface and to reduce deep halo...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.