Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
VCSEL bandwidth is limited by slow e-h recombination lifetime nanosecond to ∼ 30 GHz (60Gb/s). The transistor laser (TL) has picosecond radiative recombination lifetime; thus, it will have modulation bandwidth higher than VCSELs toward 150 GHz to achieve 300 Gb/s error free transmission and low power operation of energy/bit toward 10 fJ/bit.
50 Gb/s error-free data transmission and a −3-dB modulation bandwidth of 28.2 GHz are reported for high speed 850 nm oxide-confined VCSELs fabricated with an as-grown epitaxial structure without post-fabrication tuning of the photon lifetime.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.