Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Transient responses of 3D stacked-die package with through silicon via (TSV) structure under board level drop test load following the JEDEC standard are investigated using the Input-G finite element simulation method. In order to reduce the finite element mesh size the stacked-die package under investigation is modeled with details while the others are simplified as blocks with equivalent material...
A finite element model which includes electromigration, thermomigration, stress migration and concentration diffusion is established to study the mass diffusion phenomenon. Numerical experiment is carried out to obtain the electrical, thermal, stress and atomic concentration fields of the sweat and through silicon via (TSV) structure under high current density load. The effectiveness of the electromigration...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.