Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A new structure of SOI-LIGBT operated at thyristor mode with unique self-clamping character (TM-SOI LIGBT) integrated in SPICs has been studied and analyzed. We used 15 mum SOI layer and 3 mum SiO4, respectively to obtain a breakdown voltage exceeding 500 V. Comparison of not only a trade off between forward voltage drop and turn off loss but also a forward biased safe operating area (FBSOA) with...
In this paper, a novel substrate engineered power MOSFET with partial floating buried-layer is proposed. The proposed LDMOS with 2 mum thin epitaxial layer is designed . It is demonstrated that new electric field generated by the buried-layer modulates electric field in drift region and the voltage handling capability is enhanced. Influences of length, thickness and doping concentration of the buried-layer...
The systematic failure theory of the power electronic devices has always been absent, and the device characteristic of internal dynamics is often been neglected. For the better explanation of nonlinear phenomena in power electronic devices, this paper researched the typical device of thyristor in detail. In the first instance, whether frequency change or gate current change, the simulation and experimental...
A new CMOS compatible super junction LDMSOT structure is designed with N+-floating layer embedded in the high-resistance substrate, which suppresses charges imbalance effect resulting from substrate-assisted depletion N-type pillar, and the high electric field around the drain is reduced by N+-floating layer which causes the redistribution of the bulk electric field in the drift region. The new structure...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.