Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We present a high linearity 2-bit digital-to-analog converter (DAC) implemented in an InP/GaInAs DHBT technology. The DAC is based upon the current steering architecture. Cascode structure and layout techniques, i.e. static shuffling and dummy devices, have been used to enhance the linearity. The DAC exhibits static integral/differential nonlinearities of 5.5 × 10-3 LSB, equivalent to a resolution...
We present simulations and measurements of the sensitivity of a master-slave emitter-coupled logic (ECL) latched comparator implemented in an InP/GaInAs DHBT technology. The circuit exhibited simulated and experimental sensitivities of 11.5 mV and 17 mV, respectively, at a clock rate of 20 GHz, with no preamplifier.
An abrupt pulse-doped InP/GaInAs/InP double heterojunction bipolar transistor having a 0.45- mum-wide T-shaped emitter metal is reported. These two promising technologies for sub-100-nm emitters were previously demonstrated only for 1- mum emitters. The device exhibited typical dc and microwave performance to 0.5- mum emitter devices.
We discuss the field collapse threshold in abrupt DHBTs in which the barrier between the base and the collector is eliminated by delta doping. A DHBT with 150 nm thick collector operating at a current density of 4 mA/mum2 is presented. We show theoretically that the carrier density at the onset of the filed collapse effect can be doubled by inserting an additional delta doped layer at the center of...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.