Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A new capability for the measurement of temperature-dependent emittance of specular samples in the near infrared spectral region has been developed in NIST's Infrared Spectrophotometry Laboratory. The effort is directed to support needs for emittance data and standards for a broad range of applications including rapid thermal processing (RTP). Our approach employs the indirect method of reflectance...
Nonmelt laser annealing (NLA) is used to form heavily-doped, ultra-shallow regions in boron implanted crystalline silicon. Results are compared to samples receiving a conventional 1050degC spike anneal. A high-dose non-amorphizing boron implant of 1015 ions/cm2 at 500 eV is used. The implant is laser annealed with between one and 1000 20 ns long pulses or a 1050degC spike anneal. NLA alone produces...
In this article, the successful application of rapid thermal oxidation (RTO) with steam ambient for the selective oxidation of high aluminum containing embedded AlGaAs layer for the formation of current aperture in VCSELs is reported. The steam generation is achieved by the pyrogenic steam generation approach in which hydrogen and oxygen gas mixture is converted into steam by autoignition. Comparing...
To meet the requirements of smaller devices while still maintaining high performance, it is necessary to form very shallow source/drain extensions with very high activation. Although significant progress has been made in meeting these requirements as outlined in the 2003 ITRS, continued progress in meeting the needs for the 65 nm technology generation and beyond remain a challenge. It will no longer...
Investigations for next generation contacts of silicon and SiGe devices show that a 2-step nickel salicidation process is favorable over a single step NiSi and over CoSi2 in every respect and can be introduced easily in existing and advanced not fully depleted CMOS flows once the post silicidation thermal treatments can be kept below 700degC. Partial conversion for the deposited Ni layer to Ni2 Si...
Fulfilling the needs of advanced semiconductor device manufacturing presents continued challenges to the developers and manufacturers of capital equipment. More than twenty years of RTP equipment evolution and development has resulted in the availability of a select few technologies that are capable of delivering the demanding performance required to manufacturer today's advanced semiconductor devices...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.