Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
First demonstration of simultaneous frequency doubling and frequency quadrupling of a pulsed carbon-dioxide laser in a single-grating orientation-patterned Gallium Phosphide crystal grown by hydride vapor phase epitaxy is reported.
The first temperature-dependent Sellmeier equation for GaP was fit to extensive refractive index data measured on thin GaP plates for wavelengths between 1 and 12 microns over a temperature range of 200 to 450K.
Nonlinear optical studies are carried out on graphene-based polymer composites in the nanosecond and picosecond temporal regime. These graphene-composites demonstrate saturable absorption followed by reverse saturable absorption which depends on graphene content and operation regime.
Saturable absorption of nanosecond and picosecond duration pulses in a thin HgCdTe film is reported at 4.6 μm. The material shows promise as a mode locker for mid-infrared ultrafast lasers.
A method to determine the temperature dependence of the band gap energy, Eg(T), of semiconductors from their measured transmission spectra is described. A relationship between the band gap energy and the energy corresponding to the peak of the spectral derivative is found for InAs and validated for III–V and II–VI binary semiconductors (InAs, InP, GaAs, GaP, ZnSe, and CdTe). Band gap energies obtained...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.