Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, an X-band internally-matched GaN HEMT high efficiency amplifier is presented, which is equipped with second harmonic control circuits to enhance the efficiency of the GaN HEMT. The internal matching circuit was designed so that the 2nd harmonics are tuned to obtain maximum power added efficiency (PAE). PAE of 57% was successfully obtained with 12.5W output power at X-band. This is the...
The classical Doherty configuration suffers from a lack of accurate control of the load impedance performed by the peaking stage. The result is a reduction in the maximum obtainable efficiency and linearity performance for a given input power level. By driving the carrier and peaking power amplifiers independently, it is possible to present the optimum load to the carrier stage for either maximum...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.