Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this study, we investigated that both magnetic switching and tunneling magnetoresistance (TMR) ratio of MTJs with the NiFeSiB free layer. The junctions were fabricated by a photolithographic patterning procedure and ion beam etching. A magnetic field of 100 Oe was applied during deposition to induce the uniaxial magnetic anisotropy in ferromagnetic layer.The NiFeSiB layers were used to substitute...
In this report, we will demonstrate that by simply using a bilayer capping layer of Ru/Ta instead of usually used Ta, the switching field, as well as distribution of switching fields, of magnetic tunnel junctions (MTJ) can be considerably reduced. Two samples with the same MTJ stack of Ta/PtMn/SAF-pinned/AlOx/CoFeB(2 nm) (bottom to top) but capped by different metal layers of Ta and Ru/Ta, correspondingly,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.