Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Three types of high power GTO's with voltage ratings of 600 to 1300V, and maximum gate turn-off currents of 200 to 600A were developed. Design considerations for realizing these devices will be described. In addition, various results will be demonstrated relating to the development of a VVVF inverter using these devices.
The emitter shunting resistance can be used as an independent input in determining the switching characteristics of thyristors, especially fast switching thyristors. A smaller shunt resistance leads to a higher dv/dt capability and a higher gate triggering current. Trade-off relations given in this paper indicate that the device's dv/dt capability and hence the turn-off time can be optimized by sacrificing...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.