Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We present detailed second-order nonlinear optical spectroscopic studies of the interface electronic structure in metal:GaAs thin films and interfaces. The interface spectra from Au:GaAs, Ga-rich n-type systems exhibit two resonance features in the near infrared at 0.715 eV and 0.731 eV. A single resonance feature at 0.715 eV is observed in Au:GaAs, As-rich n-type interfaces. Similar single resonance features at 0.715 eV were observed in As:GaAs n-type samples. No resonances however were observed in oxide:GaAs and metal:GaAs p-type systems. All of the spectral features are sharp one-photon resonances. They provide compelling evidence for the existence and symmetry of atomic displacement-induced defect states just below the buried interface.