The Infona portal uses cookies, i.e. strings of text saved by a browser on the user's device. The portal can access those files and use them to remember the user's data, such as their chosen settings (screen view, interface language, etc.), or their login data. By using the Infona portal the user accepts automatic saving and using this information for portal operation purposes. More information on the subject can be found in the Privacy Policy and Terms of Service. By closing this window the user confirms that they have read the information on cookie usage, and they accept the privacy policy and the way cookies are used by the portal. You can change the cookie settings in your browser.
Ostatnio, zapowiada się wprowadzenie do produkcji, nowej generacji układów scalonych wykonanych w technologii BCD. Zastosowano trzy procesy w celu wytworzenia na jednym podłożu struktur typu: bipolarnego, CMOS, DMOS. Struktury typu CMOS stosuje się do budowy cyfrowych układów sterujących. Technologia DMOS umożliwia wytworzenie łączników o dużej obciążalności prądowej. W efekcie zastosowania trzech...
Zaprezentowano rozwiązania układowe analogowych bloków funkcjonalnych zbudowane wyłącznie z najprostszych struktur inwerterów CMOS lub ich niewielkich modyfikacji. Dzięki temu omawiane układy charakteryzują się dobrymi właściwościami częstotliwościowymi oraz najmniejszymi z możliwych wymaganiami dotyczących napięcia zasilającego części analogowej układów CMOS VLSI. Rozważania zilustrowano wynikami...
Przedstawiono zagrożenia spowodowane wyładowaniami elektrostatycznymi (Electrostatic Discharge ESD) w nowoczesnych układach scalonych wykonywanych w technologii CMOS oraz metodologię ich charakteryzowania i kwalifikację. Podano przykłady konkretnych rozwiązań konstrukcyjnych.
Przedstawiono budowę, działanie, sposób charakteryzacji i rozwiązania konstrukcyjne układów zabezpieczających przed wyładowaniami elektrostatycznymi (ESD) układów scalonych wykonywanych w technologii CMOS.
Na przestrzeni ostatnich lat powstało wiele nowych standardów komunikacji bezprzewodowej, co doprowadziło do zwiększonego zapotrzebowania na przenośne urządzenia wielosystemowe. Tendencja do redukcji poboru mocy, zmniejszania rozmiarów oraz obniżania kosztów produkcji tych urządzeń zmusza do poszukiwania nowych rozwiązań układowych. Jednym z ważniejszych bloków w pełni scalonego odbiornika telefonii...
Na przestrzeni ostatnich lat obserwuje się dynamiczny rozwój przenośnych, zasilanych bateryjnie urządzeń komunikacji bezprzewodowej, a zwłaszcza telefonów komórkowych. Konieczność redukcji poboru mocy i napięcia zasilania oraz obniżania kosztów produkcji tych urządzeń zmusza do poszukiwania nowych rozwiązań układowych. Jednym z ważniejszych bloków w pełni scalonego odbiornika telefonii bezprzewodowej...
W artykule opisana jest praca i zachowanie filtru górnoprzepustowego drugiego rzędu Sallen-Key w temperaturze 4,2 K. Filtr został zbudowany przy wykorzystaniu wzmacniacza operacyjnego typu AD8594 wykonany w technologii CMOS. Przedstawiono wykres częstotliwościowy i fazowy. Porównano stałą czasową odpowiedzi filtru na skok jednostkowy w temperaturach 300 K i 4,2 K.
W artykule opisano właściwości wzmacniaczy operacyjnych CMOS AD8594 w zakresie temperatur 4,2...300 K. Przedstawiono charakterystyki trzech podstawowych parametrów w funkcji temperatury: wzmocnienia napięciowego, wejściowego napięcia niezrównoważenia i częstotliwości granicznej trzydecybelowej. W niniejszym artykule pokazano, że możliwa jest praca wzmacniacza AD8594 w temperaturze wrzenia ciekłego...
Jedną z głównych zalet technologii CMOS w zastosowaniu do wytwarzania cyfrowych układów scalonych był znikomy statyczny pobór mocy. Jednak układy wytwarzane przy zastosowaniu najbardziej zaawansowanych technologii, o długości kanału tranzystora poniżej 100 nm, nie mająjuż tej zalety. Tranzystory o takich długościach kanału przewodzą dość znaczne prądy (zwane prądami upływu) nawet w stanie wyłączenia...
W pracy przedstawiono nową strukturę bramkową, złożoną z dwóch warstw dielektryka bramkowego - tlenko-azotku krzemu (SiOxNy) oraz dwutlenku hafnu (HfO2), która mogłaby być wykorzystana w strukturach nieulotnych pamięci półprzewodnikowych (NVSM). Struktury MIS z SiOxNy wykazują duże zmiany napięcia płaskich pasm (ok. 1,68 V), natomiast maksymalny ładunek możliwy do zmagazynowania wynosi ok. 6⋅1012[cm...
Artykuł omawia możliwości zastosowania w pełni różnicowych wzmacniaczy operacyjnych do konstrukcji toru analogowego kamer z czujnikiem CMOS. Rozwiązanie takie powinno zwiększyć odporność kamery na zakłócenia zewnętrzne oraz pochodzące z linii zasilających. Ma to znaczenie przy zasilaniu urządzeń za pomocą przetwornic napięcia stałego. Dodatkową zaletą jest możliwość fizycznego odsunięcia części cyfrowej...
Thermal issues in today's VLSI circuits are under intensive research due to technology scaling and increasing power density. Nowadays, more than a half of IC failures is caused by exceeded heating of a semiconductor structure. Therefore, it is necessary to constantly develop accurate methods capable of predicting temperature profile inside the chip structure. We propose a model to obtain variation...
The paper describes design and testing of the monolithic asynchronous analog-to-digital converter fabricated in CMOS AMS 0.35 µm technology. Two basic tests are applied to calculate error parameters of the ADC: code test to obtain a static characteristic and input-output test to measure the SNR (signal-to-noise), the ENOB (effective-number-of-bits), and propagation times to determine maximum conversion...
In the present paper, the current status of work on the transfer of a fully-depleted silicon-on-insulator (FD SOI) CMOS technology from Université catholique de Louvain (UCL) to Instytut Technologii Elektronowej (ITE) is described. This task is carried out within the TRIADE' FP7 project oriented towards development of analog and digital blocks coupled with sensors for low-volume high-performance applicalions...
Artykuł przedstawia zakończony w ubiegłym roku w Instytucie Technologii Elektronowej proces uruchamiania usługi MPW (Multi Project Wafer). Jego celem było umożliwienie studentom polskich i zagranicznych uczelni technicznych taniego wykonania prototypowego układu scalonego ASIC opracowanego w ramach zajęć lub pracy dyplomowej. Usługa MPW oparta jest na własnym procesie technologicznym ITE (3 µm bulkCMOS),...
W pracy ukazane są wybrane aspekty realizacji cyfrowych układów prądowych, a w szczególności nakład sprzętowy i pobierana moc. Podejmuje się próbę redukcji nakładu sprzętowego i mocy poprzez realizację wielowejściowych bramek prądowych. Zaproponowano budowę bramek wielowejściowych, realizujących te same funkcje logiczne, które dotychczas realizowano za pomocą kilku bramek. Pokazano zastosowanie nowych...
The paper describes structure and simulation results of the novel ring oscillator designed in UMC CMOS 0.18 μm (1.8 V) which is a part of power management system including Temperature-Controlled Oscillator. Frequency generated by the oscillator is tuned by scaling the supply voltage, additionally ring length is digitally controlled. Presented ring oscillator has very wide tuning range (250 MHz–2.1...
Set the date range to filter the displayed results. You can set a starting date, ending date or both. You can enter the dates manually or choose them from the calendar.