Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We have achieved high device performance in self-aligned inversion-channel InGaAs MOSFETs, as well as a CET of <; 1 nm, a Dit ≤ 1011 eV-1cm-2, and high-temperature thermal stability withstanding >850°C RTA in GGO and a CET of <; 1 nm in ALD-HfO2 on InGaAs. Remarkable device performances in self-aligned, inversion-channel Ge MOSFET using GGO without any interfacial passivation layers (IPLs),...
For the first time, inversion-channel GaN MOSFETs using atomic-layer-deposited (ALD) Al2O3 as a gate dielectric have been successfully fabricated, showing well-behaved drain I-V and transfer characteristics. The drain current was scaled with gate length, showing a maximum drain current of 10 mA/mm in a device of 1 mum gate length, at a gate voltage (Vgs) of 8 V and a drain voltage (Vds) of 10 V. High...
In this paper, inversion n-channel GaN MOSFETs using atomic-layer-deposited (ALD) Al2O3 as a high k gate dielectric is demonstrated for the first time electrical performance close to those of the silicon based MOSFET. Device performance are markedly improved compared to the previous results of GaN MOSFETs with high k dielectrics.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.