Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Although high-performance inversion-mode InGaAs NMOSFETs are demonstrated, high performance GaAs MOSFETs with directly deposited high-k dielectrics remain a big challenge. Some researchers believe that Fermi-level of GaAs is intrinsically pinned at the mid-gap with directly deposited ALD AI2O3 In this paper, we systematically study the electrical properties of ALD AI2O3 NMOSCAPs, PMOSCAPs, NMOSFETs...
Enhancement-mode (E-mode) n-channel InP metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors (MOSFETs) with 0.75 to 40 mum gate length fabricated on semi-insulating substrates and p-type doped InP epi-layers with atomic-layer-deposited (ALD) Al2O3 and HfO2 as gate dielectrics are demonstrated. The ALD process on III-V compound semiconductors enables the formation of high- quality gate oxides and unpinning...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.