Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We studied the response of a commercial 0.13-mum CMOS technology to high-energy (24-GeV) proton irradiation, which emulated the environment the front-end electronics of future high-energy accelerators will have to operate in, for fluences up to 1016 p/cm2 . After irradiation, large negative shifts in the threshold voltage and large drops in the maximum transconductance were observed in PMOSFETs, whereas...
We studied the response of a commercial 0.13-μm CMOS technology to high-energy (24-GeV) proton irradiation, which emulated the environment the front-end electronics of future high energy accelerators will have to operate in, for fluences up to 1016 p/cm2. After irradiation, large negative shifts in the threshold voltage and large drops in the maximum transconductance were observed in PMOSFETs, whereas...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.