Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We have evaluated characteristics of Ga-Sn-O (GTO) thin films deposited by RF magnetron sputtering with changing composition ratios of sputtering targets and deposition pressure. The optical transmittance is more than 80%, and the sheet resistance decreases as the deposition pressure increase for the thin films for Ga∶Sn=1∶3, On the other hand, for the thin films for Ga∶Sn=3∶1, both the transmittance...
Rare metal free SnO2 / Al2O3 thin film semiconductor was evaluated for applications of thin film transistor (TFT) active channel layer. The film was deposited with RF magnetron sputtering using mixed SnO2 / Al2O3 powder target. The transmittance of the SnO2 / Al2O3 film was higher than 80 %. The sheet resistance of the film could be controlled by the deposition condition. Therefore, the SnO2 / Al2...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.