Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Two integration schemes for hybrid crystal orientation technology using direct silicon bonded (DSB) substrates and solid phase epitaxy (SPE) processes have been implemented. The shallow-trench-isolation (STI) before SPE approach suffers from trench-edge defects formed at STI edges, which causes high leakage current. The SPE-before-STI approach allows removal of edge defects of SPE by STI. SRAM in...
Uniaxial strain relaxation of ultra-thin biaxial-tensile SSDOI is realized by ion-implant amorphization and solid phase epitaxy (II/SPE). The selective full amorphization in the thin SSDOI region, between raised source/drain (RSD) and channel, induces uniaxial strain relaxation in the channel. The SSDOI uniaxial strain relaxation enhances PFETs drive current by more than 20%
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.