Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents for the first time (110) PMOS characteristics without Rext degradation, allowing investigation of fundamental mobility and demonstration of drive current Ion in excess of 1mA/mum at Ioff =100 nA/μm.
A systematic study of the impact of junction dose on N- and P-channel MOSFETs with 0.10 /spl mu/m effective channel lengths operating at 1.8V is reported. A non-monotonic dependence of saturated V/sub t/ roll-off on junction dose is observed with a minimum occurring for junction doses in the mid-10/sup 14/ cm/sup -2/ range. The degradation occurring at lower doses is caused by the lateral grading...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.