Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this paper, we propose a new architecture of photomixer in order to develop a wideband and powerful photomixing THz source. It is achieved by a velocity-matched distributed photoconductor, in which the pump optical power is guided in a dielectric optical guide and slightly coupled to a low-temperature grown GaAs 1-mm-length photoconductor.
It is shown that a continuous wave output power of 0.35 mW at 305 GHz can be generated by photomixing in a low temperature grown GaAs photoconductor using a metallic mirror Fabry-Pérot cavity. The output power is improved by a factor of about 100 as compared to the previous works on GaAs photomixers.
We report on-wafer measurements of planar transmission lines on quartz substrate at J-band. We have fabricated and characterized as well CPW than Planar Goubau-Sommerfeld Lines (PGSL) up to 325 GHz. The transmission level is relatively good for straight PGSL but we can notice higher losses for structures with two 90deg-bendings. Different metallization have also been used for the study of metallic...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.