Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Selective area growth (SAG) of high-density (2.5×109cm−2) GaN nanowires (NWs) on Si(111) substrate by plasma-assisted molecular beam epitaxy is presented. The effects of morphology and thickness of the AlN seeding layer on the quality of SAG GaN NWs are investigated. A thin AlN seeding layer of 30nm thick with a surface roughness of less than 0.5nm is suitable for high quality SAG GaN NWs growth....
Silica nanowires decorated with silver nanocrystals on quartz substrate were employed as SERS substrates. The substrates features reusablity, backside measurement, and wide measuring range from >0.1 M to near single molecule detection, tested on Rhodamine 6G.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.