Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A turnkey, production circuit simulation ready compact model for cylindrical/surround gate transistors has been developed. The core of the model contains an enhanced surface potential based description of the charge in the channel. Analytical expressions for channel current and terminal charges have been derived. A method to account for quantum confinement in the cylindrical structure in a compact...
In this paper a computationally efficient surface-potential-based compact model for fully-depleted SOI MOSFETs with independently-controlled front- and back-gates is presented. A fully-depleted SOI MOSFET with a back-gate is essentially an independent double-gate device. To the best of our knowledge, existing surface-potential-based models for independent double-gate devices require numerical iteration...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.