Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We utilize a combination of DC-IV measurements as well as two very sensitive electrically detected magnetic resonance measurements, spin-dependent recombination and spin dependent tunneling, to identify the atomic-scale defects involved in the negative bias temperature instability (NBTI) in 2.3 nm plasma- nitrided SiO2-based pMOSFETs. Our measurements indicate that the NBTI-induced defect in the plasma-nitrided...
This paper examines the atomic-scale defects involved in a metal-oxide-silicon field-effect-transistor reliability problem called the negative-bias temperature instability (NBTI). NBTI has become the most important reliability problem in modern complementary-metal-oxide-silicon technology. Despite 40 years of research, the defects involved in this instability were undetermined prior to this paper...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.