Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Five different compositions of Te 46-x As 32+x Ge 10 Si 12 chalcogenide glass system were prepared with the atomic percentages 0, 1, 2, 4 and 5.I-V characteristic curves for thin film samples of the investigated compositions were typical for threshold switching behaviour. It was found that the threshold voltage increased linearly...
Investigation of the switching phenomenon in amorphous In 2 Te 3 films revealed that it is typical for a memory switch. The thickness dependence of the mean value of the switching voltage V th was linear in the investigated range and Vμacr; th decreased exponentially with a temperature rise from 298 to 373 K. The switching voltage activation energy (ε) calculated...
Se 90-x Sb x Bi 10 chalcogenide glasses with a Sb content varying in the range 35-45 atomic percentage were prepared by quenching from the melt. The amorphous nature of thin film form prepared by thermal evaporation technique was established by X-ray diffraction. Switching effects were observed in the deposited thin films of the system under test with the...
Thin chalcogenide films from the Te 46-x As 32+x Ge 10 Si 12 (0 x 5) system have been prepared by thermal evaporation. The current-voltage characteristics in the temperature range 305-423 K and thickness range 116-364 nm is ohmic in the lower field regime followed by non-ohmic behaviour in the higher voltage regime which...
Thin film samples of In 2 Se 3 were prepared from synthesized polycrystalline In 2 Se 3 by a thermal evaporation technique. X-ray analysis show that the synthesized material has α-phase structure, while the as-deposited films have an amorphous structure. The films have β-phase structure after annealing at temperature 523 K. The conduction activation energy (E ...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.