Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Till now, quantized Hall devices distributed by the BIPM are used in NIM's quantized Hall resistance standard. In this paper, we report the preliminary results of quantized Hall devices with GaAs-AlGaAs heterostructures fabricated by ourselves. The device is with AuGeNi contacts for reliability consideration, but the contacts are with relatively large resistances for layer contents and annealing condition...
Ohmic contacts to 2DEG are crucial in quantized Hall resistance device fabrication. Magnetic property of the commonly used Au/Ge/Ni recipe for ohmic contact to 2DEG in a GaAs/AlGaAs heterostructure is studied in this summary paper.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.