Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A 2-D model of aluminum-ion implantation into 4H-SiC (0001) was developed and assessed through reverse current IR-voltage VR characteristics of p-n diodes. The model was based on a Monte Carlo simulation using a binary-collision approximation. For a moderate dose (1011 - 1013 cm-2), simulated isoconcentration contours were independent of the orientation of the masking edge. This condition allowed...
Above 500V class superjunction (SJ) MOSFETs fabricated by deep-trench etching and epitaxial growth are investigated. These SJ-MOSFETs show the lowest specific on-resistance (RonA) of 21.3mOmegacm2 at a breakdown voltage (VB) of 540V, among reported trench-filling type of devices in the same voltage class. These RonA-VB trade-off characteristics are accomplished by optimizing doping concentrations...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.