Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We demonstrate heralded single photon source on a silicon photonic chip by a pump interleaving technique. We have achieved 90±5% enhancement to single photon rate with only 14±2% reduction in quantum signal to noise ratio.
In this paper, we investigate a bit-error rate (BER) of an optoelectronic integrated circuit (OEIC) receiver. For this investigation, signal and noise characteristics of a Si avalanche photodetector and a high-speed electronic circuit are analyzed. Using the fabricated OEIC receiver, 12.5-Gb/s 231−1 pseudo-random binary sequence optical signal is successfully detected with BER less than 10−12 at incident...
A novel technique for fabricating high-resolution micropipette thermal sensors using inexpensive materials was developed. The technique can be implemented relatively easily in a laboratory setting. The micropipette sensors were constructed by filling a metal inside a glass micropipette and coating a thin film on the outer surface of a glass micropipette by PVD (Physical Vapor Deposition), so that...
We present a 10-Gb/s, 1×4 optical link based on a DRAM-integration-ready bulk-silicon modulator for multi-drop CPU-DRAM interconnects. The bulk-silicon modulator operated at 10 Gb/s on a die, and at 5 Gb/s in a QFP package. The 1×4 optical link was limited not by signal integrity but by optical power budget, demonstrating its scalable capacity for the future multi-drop memory bus.
AlGaN/GaN power high electron mobility transistors (HEMTs) with a Fe-doped GaN buffer on a Si substrate were presented for high power switching applications. In order to investigate the effects of an Fe-doped GaN buffer on device characteristics, HEMT devices with an Fe-doped GaN buffer on Si were fabricated alongside with the conventional devices utilizing an unintentionally doped (UID) GaN buffer...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.