Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Reliability tests on packaged ultraviolet light-emitting diodes (LEDs) in the ultraviolet-C (UVC) range (< 280 nm) were performed under various temperatures and currents. At higher case temperature, a greater degradation in output power was observed over 1,000 hours. Degradation in output power was also observed at higher operating currents. Some of the output power degradation can be attributed...
Partially-insulated oxide (PIOX) layers are implemented under the source/drain region in bulk FinFETs. The improved short channel effect by controlling the sub-channel on the bottom part of the gate in bulk FinFETs, the decreased junction leakage current due to blocking the vertical leakage path by PIOX layers, and the increased hot carrier lifetime can be applicable to future DRAM cell transistors.
For the first time, we have successfully fabricated fully integrated advanced bulk FinFETs featuring partially insulating oxide layers under source/drain (S/D), named partially-insulated- FinFETs (PI-FinFETs), to control subchannel on the bottom part of the gate in bulk FinFETs and suppress punchthrough and junction leakage currents. We observed that the junction leakage is improved about 50%, drain-induced...
Non-uniform current flow after Fowler-Nordheim current stress has been discussed. In a large thin oxide area, there are certain fixed spot areas which can trap electrons easily, and Fowler-Nordheim tunnel current is reduced at the spot areas. Enlargement of the stress induced leakage current due to trapped holes could happen at all spot areas with the same probability, but the spot areas are replaced...
A new kind of stress induced low level leakage current (LLLC) in thin silicon dioxide is reported. It is observed after the stress of hot hole injection at the drain edge. Since the voltage dependence of this new kind of LLLC is steeper than that in the conventional FN stress-induced LLLC, each conduction mechanism may be different. This LLLC is reduced by both hot electron injection and UV irradiation...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.